隨著微電子學行業的迅速發展,聚酰亞胺(PI)薄膜作為一種含有酰亞胺基的芳香族雜環高分子,具有良好的電學性能和耐熱性,廣泛應用于柔性集成電路板(FIC)多層板的層間絕緣和半導體表面鈍化,是一種良好的薄膜絕緣材料。
尤其是需要建立在一個普通PI薄膜技術基礎上的感光聚酰亞胺薄膜,同時我們具備了耐熱性和感光性,使得普經復雜的薄膜材料表面微圖刻蝕工藝過程變得更加簡單易操作,半導體器件的晶化率也大大可以提高。
pi膜是一種透明的黃色薄膜,具有優異的耐高溫、耐低溫、耐輻射、電絕緣等性能??砷L期使用在260 ° C-280 ° C 的范圍內,也可短期使用在400 ° C 的高溫下,是一種性能優良的高溫電絕緣產品。
聚酰亞胺薄膜的這些特性主要是由于聚酰亞胺本身是所有聚合物中最耐熱的一種。聚酰亞胺由均苯四甲酸二酐(PMDA)和二氨基二苯醚(Oda)組成,在氮氣的保護下,PAA 經開環縮聚脫水生成 Pi。
(1)力學性能。
聚酰亞胺有很好的機械系統性能,未增強的基板進行材料抗張強度均I0OMPa以上。用均苯型制各的P薄膜抗張強度是170MPa ,而用聯苯型聚酰亞胺結構制成的可達到400MPa。聚酰亞胺復合纖維的彈性動態模量可達到500MPa ,僅次于中國碳纖維。
(2)耐化學藥品性。由于P材料大多不溶于有機溶劑,被增強過的F塑料遇到烯酸,較其他材料更耐腐蝕,在120°C的高溫水煮依然具備良好的穩定性。
(3)耐輻射性。聚酰亞胺薄膜在被109數量級的劑量輻射后,其強度依然可以保持在85%以上,有的甚至可以保持在90%以上。
(4)電性能。P材料中的大分子含有大量的極性基,這些極性基與相鄰基形成共軛體系,故而限制了其極性,使得PI在很寬的溫度范圍內偶極損耗小,具備優良的電性能。其介電常數不高于3。5 ,特殊處理后,可以低于2.5 ,介電強度保持在100- 300Kv / mm ,因此這種低介電常數的P材料的研究倍受矚目。
(5)熱性能。由于 P 材料的分解溫度高于500 °C,且分子鏈中含有大量芳香環,因此具有優良的耐熱性。特別是由聯苯二酐和對苯二胺合成的 PI,可以達到分解溫度
600。C ,短時間高溫下各項物理性質維持不變。正是因為P良好的熱性能,它被制成聚酰亞胺樹脂,包括熱固性樹脂和熱塑性樹脂。熱可塑性P還可以注射并擠出成型的優異的有熱可塑熔融流動性的P樹脂。P樹脂優點很多, 例如強度高、吸水率低、耐輻射和水解、絕緣性好、耐熱氧化、熱穩定性好等,故在宇航、原子能工業、核潛艇等軍事領域以及微電子的精密加工行業廣泛應用。
上述性能在較寬的頻率范圍內都具有發展良好的穩定性。此外,聚酰亞胺薄膜進行材料方面還有耐低溫、 膨脹風險系數低、阻燃技術以及學生良好的生物組織相容性等特性。聚酰亞胺優異的綜合系統性能和合成化學.上的多樣性,可廣泛應用于企業多種不同領域。
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